Per Samsung siamo alle porte di un cambiamento epocale. L’anno prossimo potrebbe presentare l’innovativo Samsung Galaxy X e, la nuova generazione di processori a 5 e 7nm. A rendere ancor più performanti i prossimi device ci potrebbe essere la nuova DRAM LPDDR5 da 8GB a 10nm, novità nel settore, sviluppata dalla stessa società coreana.
La DRAM LPDDR5 8GB di Samsung migliorerà le prestazioni del 50% rispetto ai chip precedenti
La DRAM LPDDR5 8GB, a 10nm va ad affiancarsi alle memorie già prodotte da Samsung nel 2014 e nel 2017. Il chip sarebbe pensato soprattutto per le prossime applicazioni di mercato, dal 5G all‘AI. La DRAM sarà disponibile in due larghezze di banda: la velocità di trasmissione: 5500 MB/s e 6400 MB/s rendendo questa, la memoria più versatile per smartphone di prossima generazione. Il miglioramento delle prestazioni è stato reso possibile da una serie di implementazioni e miglioramenti sull’architettura.
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La società afferma infatti che raddoppiando i banchi da 8 a 16 si potranno raggiungere velocità molto più elevate, mantenendo un basso consumo energetico. Tornando proprio sul risparmio energetico, la LPDDR5 da 10nm è progettata per abbassare la tensione in base alla velocità operativa, comportando un risparmio relazionato agli usi. Tuttavia, si potranno raggiungere prestazioni al top per l’utilizzo di applicazioni votate all’AI e nella compatibilità con UHD per dispositivi mobili. La società ha annunciato di iniziare la produzione di massa nell’ultima fabbrica aperta a Pyeongtaek, in Corea.
