L’appuntamento con il prossimo Samsung Galaxy S10 è ormai fissato e tra leak e voci di corridoio sappiamo… quasi tutto! E proprio oggi arriva un’annuncio che strizza l’occhio ad un rumor di qualche tempo fa: il gigante tecnologico sudcoreano ha ufficialmente dato il via alla produzione di massa delle prime memorie eUFS 2.1 da 1 TB per smartphone!
Samsung Galaxy S10 in arrivo con 1 TB di storage grazie alla nuova memoria eUFS 2.1
Le dimensioni del chip sono le stesse del precedente modello da 512 GB (11.5 x 13 mm) ma riesce ad offrire il doppio della capacità di archiviazione grazie alla combinazione di 16 strati sovrapposti di memoria flash V-NAND di quinta generazione. In termini di velocità, il balzo in avanti c’è eccome: a livello di velocità di lettura abbiamo fino a 1000 MB/s, con 260 MB/s in fase di scrittura sequenziale.
In soldoni, la nuova eUFS 2.1 da 1 TB ha una velocità di lettura sequenziale doppia rispetto a quella di una memoria SSD SATA da 2.5”. La tabella in alto ci permette di avere una chiarezza ancora maggiore rispetto alle prestazioni del chip.
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