Samsung è da anni un’azienda leader nella produzione di chip di memoria. Oggi, la società coreana ha annunciato l’avvio della fabbricazione di nuovi chip di memoria V-NAND di quinta generazione. Stando a quanto riferito, la particolarità dei nuovi chip starebbe nella rinnovata interfaccia NAND Toggle DDR 4.0.
L’ultima V-NAND di quinta generazione incrementerà considerevolmente la velocità di trasferimento dei dati
Le migliorie dovrebbero essere considerevoli, grazie ad una velocità di trasferimento incrementata del 40%, la nuova V-NAND raggiungerà picchi di 1.4 Gb/s. Abbinata alle prestazioni migliorate, la nuova memoria garantirà anche una migliore efficienza energetica: da 1.8 volt a 1.2 volt.
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La differenza sostanziale tra le memorie di quinta generazione e quella precedente, è nella presenza di 90 layer di celle 3D (trap-flash-flash)rispetto alle 64 precedenti che garantiranno una maggiore trasmissione di dati. Parliamo di oltre 85 miliardi di celle in grado di trasmettere fino a 3 bit ciascuna.
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In termini pratici, ciò ha portato ad un incremento considerevole della velocità di scrittura, con un tempo di risposta di 50μs. I nuovi chip – che in sostanza saranno di 256GB – sono entrati in produzione di massa e molto probabilmente faranno la loro comparsa a breve. Sicuramente i prossimi attesissimiflagshipdi Samsung beneficeranno di questa ed altre innovazioni.
