Samsung ha appena annunciato di aver avviato la produzione di memorie Flash 3D a 64 strati che troveremo sulle prossime memorie UFS 3.0 che debutteranno sulla next gen di smartphone.

Si tratta della quarta generazione di memorie 3D Flash di Samsung che migliorano sempre più la propria affidabilità e soprattutto velocità di lettura e scrittura. La stessa tecnologia potrà inoltre essere applicata anche ai nuovi SSD.

UFS 3.0: Samsung avvia la produzione di memorie Flash 3D a 64 strati

Samsung – per la somma gioia di tutti gli utenti – ha anche snocciolato quelli che sono i primi dati con una frequenza di banda degli UFS 3.0 64-V-NAND che arriverà fino ad 1 Gbps e velocità fino ad 1.5 più alte rispetto alla precedente generazione. D’altro canto ci sarà una riduzione in termini di consumi di una percentuale davvero considerevole, anche se non sono stati forniti ulteriori dettagli.

I concorrenti diretti di Samsung e delle sue memorie UFS 3.0 sono Toshiba e SK Hynix che stanno già sviluppato chip di memorie a 72 strati. Tuttavia Samsung sottolinea come la tecnologia 3D V-NAND a 64 strati sia in grado di ottenere le stesse performance in termini di durabilità e soprattutto di velocità.

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Inoltre è molto prevedibile che prossimamente vedremo sempre più SSD da 1 TB o più e sempre più smartphone con memorie UFS 3.0 da 128 GB.

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