Sappiamo bene come nella fascia alta del mercato ci si giochi la partita su diversi ambiti. Molte aziende produttrici di smartphone, infatti, tentanto continuamente di sviluppare nuove soluzioni per i propri device, sotto tanti aspetti. Non si tratta solo di display o potenza, ma spesso anche di altri piccoli particolari che, comunque, fanno la differenza. Tra questi, dunque, troviamo anche la velocità delle memorie montate su tali prodotti, che è maggiore sugli smartphone top di gamma. Samsung, quindi, in merito a questo argomento ha deciso di fare un ulteriore step in avanti, avviando la produzione delle nuove eUFS 3.1.
eUFS 3.1 superano la velocità di 1GB/s in scrittura
Da quello che abbiamo potuto vedere, tramite i risultati ottenuti nei test, queste nuove memorie eUFS 3.1 da 512GB offrono performance degne di nota. Si tratta di un passo in avanti importante in tale campo, perchè grazie a queste componenti ora la velocità di scrittura aumenta fino a 1GB/s, superando addirittura tale soglia. Questo vuol dire che per spostare circa 100GB di dati sarà necessario attendere solo 90 secondi, circa 3 minuti in meno di quanto richiesto dalle vecchie eUFS 3.0.
Abbiamo a che fare con un prodotto molto più prestante rispetto al passato. Vediamo, infatti, come ora la velocità in lettura sequenziale sia pari a 2100MB/s, mentre sarà possibile eseguire circa 100.000 operazioni di input/output al secondo in lettura, mentre ci attestiamo su 70.000 operazioni in scrittura.
[su_google]
