Qualcomm Snapdragon 835 è stato annunciato pochi giorni fa dall’azienda di San Diego e da Samsung. Oggi arrivano dalla Cina alcuni rumors (e un’interessante tabella) riguardanti le specifiche del nuovo SoC high-end di Qualcomm.
Qualcomm Snapdragon 835: le specifiche tecniche | Rumor
Come vi avevamo anticipato, il Qualcomm Snapdragon 835 sarà costruito utilizzando una tecnologia produttiva a 10 nm di tipo FinFET, con un incremento prestazionale pari al 27% e un miglioramento dal punto di vista del risparmio energetico di circa il 40%.
Fino a poche ora fa queste erano le uniche notizie in merito alle caratteristiche tecniche del processore. Un utente di Weibo, però, ha pubblicato un’interessante tabella comparativa tra lo Snapdragon 835 e il 660 (ve ne abbiamo parlato qui).
Qualcomm Snapdragon 835: i nuovi dettagli
Il Qualcomm Snapdragon 835 (MSM8998) utilizzerà una versione aggiornata dell’architettura proprietaria di Qualcomm, la Kyro 200, a 64 bit come la precedente ma con a bordo un octa-core anziché un quad-core, di cui, però, non è ancora nota la frequenza.
La GPU integrata dovrebbe essere una Adreno 540, la baseband, invece, dovrebbe supportare l’LTE Cat.16, con velocità in download fino a 1 Gbps e fino a 150 Mbps in upload.
Lo Snapdragon 835 disporrà inoltre di memorie RAM dual channel LPDDR4X-1866 e una memoria interna UFS 2.1.
Il Qualcomm Snapdragon 835 dovrebbe vedere la luce nel primo trimestre del 2017, molto probabilmente a bordo del Samsung Galaxy S8.
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