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Qualcomm Snapdragon 835: ecco il SoC a 10 nm prodotto da Samsung

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La più famosa casa di produzione di SoC per device mobili ha appena annunciato la sua nuova punta di diamante, la quale sarà montata nei mesi prossimi su tutti i nuovi top di gamma. Stiamo parlando del Qualcomm Snapdragon 835, i cui primi dettagli ufficiali sono stati annunciati dalla compagnia di San Diego durante una conferenza stampa che si è tenuta oggi.

Qualcomm Snapdragon 835: tanta potenza e consumi ridotti

Qualcomm Snapdragon 835 sarà il migliore amico di tutti i device high-end del prossimo anno, dato che la scelta di molti produttori di smartphone ricadrà sicuramente su questo interessante processore.

Stando ai primi dati ufficiali rilasciati dalla compagnia americana, grazie alla nuova tecnologia produttiva a 10 nm di tipo FinFET sarà possibile massimizzare prestazioni e risparmio energetico.

Infatti, rispetto al “vecchio” procedimento produttivo a 14 nm di Snapdragon 820 ed 821, il nuovo processore avrà un incremento prestazionale pari al 27% ed un miglioramento sotto il punto di vista del risparmio energetico di circa 40 punti percentuali. Il tutto sarà, poi, offerto in una dimensione inferiore del 30% rispetto a quella dei processori presentati in questo 2016.

Ulteriore motivo di interesse è stato suscitato dell’annuncio riguardante il prosieguo della partnership stretta dalla compagnia di San Diego con il gigante asiatico Samsung.

Samsung Pay

Stando a quanto annunciato nella conferenza odierna, Qualcomm avrebbe, infatti, affidato proprio al colosso internazionale la produzione del nuovo SoC, in quanto il più adatto per produrre con il nuovo procedimento a 10 nm.

Sicuramente questo sarà un modo per Samsung di riprendersi dal tonfo causato dalla mancata commercializzazione di Galaxy Note 7 ed è sempre viva la speranza che questa torni a produrre device con SoC Qualcomm anche per l’Europa.

Non ci resta che attendere la metà del prossimo anno per conoscere quali saranno i device che porteranno in dote il nuovo Qualcomm Snapdragon 835.

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