Sicuramente il più atteso processore del prossimo anno è il nuovo Qualcomm Snapdragon 835 che, da quanto appreso proprio oggi, verrà presentato al CES 2017. Una ventina di giorni fa erano stati pubblicati i primi risultati ottenuti su Antutu, che avevano evidenziato un netto miglioramento rispetto alla concorrenza (salvo l’A10 Fusion di Apple), quindi oggi la pubblicazione dei primi risultati su GeekBench un po’sorprende.
Qualcomm Snapdragon 835, ecco i primi, non esaltanti, banchmark GeekBench
Da quanto è possibile evincere, infatti, nei precedenti test Antutu, il Qualcomm Snapdragon 835 si era attestato, per quanto riguarda i test alla CPU, al secondo posto dietro al solo A10 Fusion (con un netto distacco) e staccando con un margine minimo l’Exynos 8890 e leggermente più consistente su Snapdragon 821 e Kirin 960.
Su GeekBench 4.0 è apparso ora il risultato di un modello di test con a bordo il Qualcomm Snapdragon 835, chiamato Essential FIH-PM1 che, oltre a confermare l’architettura Kyro, attesterebbe il fatto che questo processore sia dotato di otto core con velocità di 1.9 GHz, almeno in questa versione di test. L’unità provata il giorno 27 dicembre, poi, disponeva di 4 GB di RAM e girava con Android 7.0.
Da quanto è possibile evincere, il dispositivo ha raggiunto i 1844 punti in single-core e 5426 punti in multi-core. Un risultato non propriamente esaltante. Questo perché, ad esempio, loSnapdragon 821 montato su OnePlus 3T raggiunge 1924 punti in single core e 4969 punti in multi core, per non parlare del Kirin 960, testato su Huawei Mate 9 Pro, che ha raggiunto i 1949 punti in single core e 6439 punti in multi core.
Questi risultati poco incoraggianti potrebbero però essere spiegati da tante motivazioni. La prima potrebbe riguardare la possibilità che l’unità in test avesse una frequenza di clock limitata e, la seconda, è che possa essere anche il quantitativo di RAM a fare una minima differenza, senza contare l’ottimizzazione generale del sistema, sicuramente non ottimale su un device di test.
