Negli ultimi anni il processo di miniaturizzazione dei transistor ha compiuto passi da gigante arrivando sempre più vicino a quello che ipoteticamente sarebbe il limite raggiungibile utilizzando il silicio. Questa corsa è dovuta al fatto che, minore è la grandezza del processo produttivo di un chipset, maggiore è la potenza e l’efficienza energetica e maggiore è lo spazio per poter aggiungere chip. Oggi Samsung ci ha svelato i passaggi che porteranno al suo obiettivo, il raggiungimento di un processo costruttivo a 4 nm.

Samsung svela i passaggi da compiere per arrivare ad un processo produttivo da 4 nm

Secondo questa roadmap, svelata durante una presentazione svoltasi al Samsung Foundry Forum, il prossimo passo sarà verso la produzione di chip a 8 nm utilizzando un processo chiamato Low Power Plus. Nel processo a 7 nm, poi, sarà usata per la prima volta la litografia Estrema ad Ultra Violetti, che permette di incidere il circuito in un wafer di silicio. Per i 6 nm, invece, verrà utilizzata una nuova soluzione di Smart Scaling, che permetterà di raggiungere un risparmio energetico davvero sostanzioso.

Da qui, la strada verso un processo a 5 nm e, successivamente il raggiungimento dell’obiettivo dei 4 nm, che sarà il primo ad utilizzare un’architettura di nuova generazione chiamata Multi Bridge Channel FET. Questa è la tecnologia che utilizzerà Samsung per aggirare i limiti dell’architettura FinFET.

Il passaggio dai 10 nm ai 4 nm, però, necessiterà un ammontare di tempo sostanzioso e ci saranno diversi ostacoli che si pareranno sulla strada verso la produzione. Definire, quindi, una scadenza temporale è assolutamente impossibile al momento ma, almeno, adesso sappiamo quale è la strada e quali sono i passi che quello che, almeno attualmente, è il maggior produttore di chip per il mercato mobile sta compiendo.

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