Negli ultimi giorni sono emersi, con sempre più insistenza,rumorriguardanti iPhone 7, il quale dovrebbe essere lanciato indicativamente nel corso della prima settimana di settembre.
Oggi tramite un tweet da parte di @The_Malignant scopriamo un ulteriore dettaglio in merito al nuovo smartphone di casa Apple. Tra le ipotetiche novità di iPhone 7, abbiamo più volte parlato del possibile, ed auspicabile, abbandono del taglio di memoria base da 16 GB, a favore dei 32 GB. Inoltre, si è pure discusso e sostenuto l’arrivo di un nuovo taglio di memoria da 256 GB.
Nuovi rumors confermano le specifiche tecniche del device
Questi nuovi documenti andrebbero a confermare quanto affermato nel corso delle scorse settimane, infatti nella documentazione si evince, che, Toshiba sarà tra i fornitori delle unità NAND flash di iPhone 7, o almeno questa è l’ipotesi, che emerge dal foglio di probabile provenienza Foxconn. Non è possibile per ora dire se questo eventuale taglio sarà reso disponibile solo per la variante iPhone 7 Plus da 5.5 pollici, o se verranno prese in considerazione entrambe le versioni.
In un tweet precedente, lo stesso account Twitter postò l’immagine di una scheda logica di iPhone 7, suggerendo un possibile miglioramento del circuito di ricarica rispetto a quello adottato attualmente.
Ad oggi non è chiaro se il taglio da 256 GB verrà commercializzato per entrambe le versioni dello smartphone, o sarà una prerogativa soltanto della versione Plus, tuttavia quest’ultimo, secondo ulteriori indiscrezioni dovrebbe avere ben 3 GB di RAM, tutto ciò a causa di un aumento dei requisiti di elaborazione della doppia fotocamera.
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