Qualcomm Snapdragon 845: nuovi dettagli sul prossimo flagship chipset

Stando a varie indiscrezioni, il nuovo chipset Qualcomm Snapdragon 845 dovrebbe essere presentato ufficialmente a dicembre, durante il prossimo Snapdragon Technology Summit, che si svolgerà dal 4 all’8 dicembre alle Hawaii. Eppure, una misteriosa fonte avrebbe anticipato alcune delle novità in arrivo e delle specifiche dell’imminente SoC del produttore statunitense.

Qualcomm Snapdragon 845 riproporrà il processo produttivo a 10 nm

La fonte confermerebbe ancora una volta che il chipset è stato realizzato sfruttando nuovamente un processo produttivo a 10 nm. Inoltre, sembra che il Qualcomm Snapdragon 845 non adotterà la nuova tecnologia LPP vista a bordo dell’Exynos 9810, preferendo la classica LPE (Low Power Early).

Per quanto riguarda il numero di core, lo Snapdragon 845 resterà una soluzione octa-core, dotata di un cluster Cortex-A75 e di un Cortex-A53. La GPU presente a bordo sarà l’Adreno 630, di cui ancora non sono note le caratteristiche.

Qualcomm Snapdragon 845: ecco le novità

Infine, il SoC presenterà il supporto per dual camera frontale/posteriore fino a 25 mega-pixel, una baseband X20, il supporto al Wi-Fi 802.11 ad e avrà una velocità massima di download di 1.2 Gbps.

Il nuovo Qualcomm Snapdragon 845 dovrebbe fare quindi la sua prima apparizione pubblica nei primi di dicembre. In merito al suo debutto vero e proprio bisognerà attendere il lancio del nuovo Samsung Galaxy S9 e S9+ – per il mercato globale – e dello Xiaomi Mi 7 – per quello cinese.

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