Proprio la settimana scorsa, Qualcomm ha dichiarato che avrebbe rilasciato ulteriori informazioni sul suo prossimo processore high-end, lo Qualcomm Snapdragon 835, al CES 2017 di Las Vegas.
Non vediamo l’ora di scoprire cosa avrà in serbo per noi il nuovo SoC di fascia top poiché, quando il chip è stato presentato a metà del mese di novembre, Qualcomm non ha rivelato molti dettagli al riguardo.
Alcune slide trapelate su Weibo sembrerebbero aver rivelato la maggior parte delle caratteristiche proposte dal nuovo processore Snapdragon 835.
In particolare, il chip dovrebbe essere fabbricato da Samsung utilizzando un processo produttivo a 10 nm. Grazie a tale tecnologia, il SoC dovrebbe offrire un miglioramento di circa 27% rispetto al Qualcomm Snapdragon 820, con un risparmio anche dei consumi energetici rispetto al vecchio top di gamma.
Il nuovo Qualcomm Snapdragon 835 integrerà un modem LTE X16, facendo sì che questo sia il primo processore al mondo ad avere un modem LTE Gigabit-Class.
Le slide hanno riportato anche che il chip sarà caratterizzato da core Kryo 280. Stando alle informazioni rivelate dalla fonte di Weibo, lo Snapdragon 835 sarà affiancato dalla GPU Adreno 540 che dovrebbe offrire il 25% di velocità in più nel rendering.
Per quanto riguarda altre specifiche tecniche, troviamo un supporto alla riproduzione video 4K a 60 FPS e a 10 bit e l’implementazione delle librerie grafiche OpenGL ES, Vulkan e DirectX 12. Grazie alla riduzione dell’ingegnerizzazione di questo SoC high-end, Qualcomm darà ai produttori di smartphone e tablet più spazio per integrare batterie più capienti e fotocamere più performanti.
Non dovrebbe mancare, infine, la tecnologia di ricarica rapida Qualcomm Quick Charge 4.0 che dovrebbe essere il 20% più veloce rispetto alla terza generazione. Più nel dettaglio, la QC 4.0 dovrebbe offrire agli utenti almeno 5 ore di autonomia con appena 5 minuti di ricarica e, considerando una batteria da 3000 mAh (lo standard medio attuale), garantirebbe una ricarica del 50% in appena 15 minuti.
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