Ci separano ancora alcuni mesi (in teoria) dalla presentazione dello Snapdragon 670 da parte di Qualcomm. Tuttavia, le indiscrezioni non sono mancate nei mesi scorsi ed oggi abbiamo nuovi e più precisi dettagli sulle caratteristiche tecniche. A svelarcele è Roland Quandt, noto insider del settore, tramite il proprio profilo Twitter.
Così come per gli ultimi SoC high-end, lo Snapdragon 670 (o SDM670) sarà realizzato anch’esso a 10 nm. Questo andrà a beneficiare soprattutto l’aspetto puramente energetico, con maggiori risparmi sui consumi. Parlando di CPU, quella che dovremmo trovare non sarà l’architettura big.LITTLE vista in precedenza.
Al contrario, Qualcomm dovrebbe adottare un approccio differente, con un processore octa-core suddiviso fra due cluster. Quello principale sarebbe un dual-core Kryo 300 Gold basato su Cortex-A75 fino a 2.6 GHz. Al contrario, il cluster inferiore si presenterebbe come un hexa-core Kryo 300 Silver basato su Cortex-A55 fino ad 1.7 GHz.
Proseguendo, a gestire la parte grafica avremo una GPU Qualcomm Adreno 615 con clock base a 430/650 MHz ma in grado di raggiungere i 700 MHz in modalità Turbo Boost. Ovviamente non mancherà il supporto a memorie interne di tipo UFS 2.1, così come moduli RAM LPDDR4X. Avremo, poi, un modem LTE X2x in grado di raggiungere velocità in termini di Gigabit. Il tutto si dovrebbe tradurre in una potenza in grado di superare quella fornita dal precedente Snapdragon 821.
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