Nella giornata di ieri Samsung Electronics ha tenuto un evento in cui ha mostrato ai partecipanti quelli che sono i piani di produzione futuri per quanto riguarda il settore relativo ai SoC (System-on-a-Chip), quindi con un occhio anche al mercato degli smartphone. La roadmap svelata comprende tutte le nuove tecnologie per il tipo di processo produttivo adottato.
Si parte con la 8LPP, ovvero 8 nm Low Power Plus, un miglioramento rispetto all’attuale 10LPP, lo step successivo del 10LPE che caratterizza Exynos 8895 e Snapdragon 835. Passando alla 7LPP a 7 nm, questa utilizza la tecnica EUV, una litografia ad ultravioletti co-ingegnerizzata con la tedesca ASML. Secondo quanto affermato da Samsung, questa tecnologia litografica romperà la legge di Moore nel prossimo futuro.
Abbiamo poi la 6LPP a 6 nm, a cui seguirà la 5LPP a 5 nm per finire con la 4LPP a 4 nm. Quest’ultima beneficerà di una nuova architettura basata sul Multi Bridge Channel FET, una struttura proprietaria di Samsung denominata GAAFET. Per concludere, si è anche parlato di FD-SOI, ovvero Fully Depleted – Silicon on Insulator, un processo produttivo pensato principalmente per l’Internet of Things il quale integrerà anche le nuove MRAM (Magnetic Random Access Memory).
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