La collaborazione fra Samsung Electronics e Qualcomm ha dato il via alla produzione dei primi chipset mobile realizzati a 10 nm, introdotti sull’Exynos 8895 ma soprattutto sullo Snapdragon 835. Con una nota rilasciata sul proprio sito, il colosso coreano ha annunciato di essere già al lavoro sui prossimo SoC di seconda generazione realizzati con processo produttivo FinFET 10LPP (Low Power Plus).
Grazie alle migliore delle strutture 3D FinFEt, ciò permette un incremento del 10% per quanto riguarda le performance o del 15% in fatto di risparmio energetico rispetto al precedente processo 10LPE (Low Power Early) pur mantenendo le stesse dimensioni. Con la recente installazione delle linee di produzione a Hwaseong, in Sud Corea, la fabbricazione dei prossimi chipset dovrebbe avere inizio durante il Q4 2017.
RECENSIONE – Samsung Galaxy S8
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