Il prossimo Snapdragon 830 supporterà fino ad 8GB di RAM?

Lo Snapdragon 820 non ha ancora nemmeno fatto in tempo ad essere rilasciato, che si parla già del suo successore Snapdragon 830. Alcune voci hanno infatti lasciato intendere che il nuovo processore di Qualcomm verrà fabbricato utilizzando l’innovativo processo di produzione a 10nm di Samsung. L’informazione sembra tutto sommato plausibile, considerando che l’annuncio ufficiale dello Snapdragon 830 avverrà solamente tra un anno, andando quindi a coincidere con la produzione in massa da parte di Samsung dei propri processori a 10nm.

A parte l’ovvia riduzione dei consumi e l’aumento delle prestazioni grazie al passaggio da 14nm a 10nm, altre voci di corridoio affermano che lo Snapdragon 830 supporterà fino ad 8 GB di RAM! Sempre che tra un anno esistano effettivamente dei dispositivi del genere.

Lascia però ben sperare la dichiarazione di Samsung, rilasciata a settembre di quest’anno, di aver già iniziato la produzione in massa dei propri chip da 12 Gb LPDDR4, spianando in questo modo la strada per i prossimi dispositivi mobili con ben 6 GB di RAM. Grazie all’evoluzione del prossimo anno, in cui sono attesi chip da 16 Gb, potremmo quindi realmente mettere le mani sui primi moduli da 8 GB di RAM entro i primi mesi del 2017, giusto in tempo per l’uscita dello Snapdragon 830.

Ma abbiamo davvero bisogno di così tanta RAM all’interno del nostri telefoni? Probabilmente no, ma la tecnologia potrebbe essere teoricamente utilizzata anche per alcuni particolari tablet, o addirittura per futuri PC portatili contenenti chip ARM.

Infine, pare che il codice che Qualcomm affibbierà allo Snapdragon 830 sarà “8998”, mantenendo quindi la normale numerologia alla quale siamo abituati. Il nome in codice dello Snapdragon 820 era infatti “MSM8996”, mentre lo Snapdragon 810 veniva chiamato “MSM8994”.

Siano queste informazioni vere o false, l’uscita dello Snapdragon 830 è ancora lontana. Non ci rimane quindi che aspettare le dichiarazioni ufficiali di Qualcomm nei prossimi mesi.

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